Корейские инженеры разработали новую сверхбыструю флеш-память

3/03/2011 13:06

Южнокорейские инженеры разработали новый тип памяти, обещающий ускорить работу с цифровыми данными во многих электронных устройствах. По словам разработчиков их рахработка носит фундаментальных характер. Совместная группа инженеров из Сеульского национального университета и корейского Университета города Конкук говорит о создании новых чипов, способных хранить данные без доступа электричества (энергонезависимая память), использующих углеродные нанотрубки и новую "микро-электродинамическую систему" доступа к данным. Созданные ячейки памяти способны хранить данные, записывая и/или удаляя информацию за 0,0000001 секунды. "Это значительный показатель и он прежде не был достигнут ни для одного из существующих чипов энергонезависимой памяти. Благодаря такой скорости, новые чипы обладают значительным потенциалом для работы в мобильных устройствах будущего", - говорит Ли Санг Вук, профессор физики и один из авторов разработки. По его словам, новые чипы получили новую механическую систему распределения электродинамического заряда, которая позволяет проводить прямую передачу электрического заряда на непосредственно плавающий затвор ячейки памяти, что ускоряет запись и стирание данных с чипа. Существующие чипы полагаются в работе на электрификацию плавающих затворов и подачи через них заряда для хранения информации. Такой подход требует больше электричества, а сам чип выделяет больше тепла. За счет использования затворов, сделанных не из металла, а из углеродных нанотрубок, можно дополнительно ускорить время поступления заряда на устройство флеш-памяти.
Источник